内存电压vpp(内存vtt电压多少合适)

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Vcc电压和Vpp电压是什么意思

Vcc是对参考地（一般是GND）的正向电压,Vpp是指交流或脉冲信号的最低值到最高值的电压，也称峰峰值。

①VCC：电源（VoltCurrentCondenser）；电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（VoiceControlledCarrier)；火线。在电子电路中，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压。

pptvppking7s死机怎样恢复

死机没办法，只有按开关机键关机在开机，如果总是这样，看下面的方法。

1、杀毒软件安装多，并且全部打开监控，少开监控或不开监控，经常查杀病毒就是了。

2、软件或驱动与系统不兼容，重装或升级驱动。

3、系统问题或有木马，查杀一下木马还原一下系统或重装（下载Win清理助手查杀木马）。

4、内存、显卡，另外电压不稳也可以引起死机故障的发生（如果内存太小，加内存条）。

5、一般常见的CPU或显卡等硬件温度过高最容易引起卡和死机。

6、硬盘有坏道，用软件修复硬盘坏道，格式化硬盘重新分区重装，换硬盘。

7、升级硬件引起不兼容死机。

8、垃圾文件太多、磁盘碎片太多等。

9、如果总是不行，建议检修一下去。

vpp什么意思vpp什么意思

vpp就是峰峰值电压，即正（余）弦曲线中最大值和最小值的差，也就是电压的最大值的2倍，如果要求电压有效值，只需将峰峰值除以2倍根号2.

镁光16GB内存条有用D9VPP颗粒的吗

镁光三星海力士是世界上最好的内存品牌，提到镁光都是放在这三家的第一位，当然非常好了。

镁光还有个品牌叫英睿达，一般家用选英睿达就行了。

告诉大家一个选内存的诀窍，买新的去某东自营就不说了，买二手的就买品牌机和笔记本拆机的内存，那里面大部分都是镁光三星海力士南亚记忆科技等等，都是非常好的内存品牌，而且兼容性真心好。

至于买新内存，别买金士顿威刚，那些牌子假的太多了，可以选择金邦，价格低些的选金泰克，当然了我是说普通家用，超频那种的不算。

现在内存性价比很高，都是终身质保，选个大厂就终身保你。

ddr4内存都是低电压吗

DDR4内存：

低电压高频率

DDR4内存优点：电压更低，功效更高

频率和带宽提升并不是DDR4唯一的重点，对服务器应用来说内存功耗也是要考虑在内的，DDR4内存的工作电压从DDR3的1.5V降低到了1.2V，这有助于提升DDR4内存的效率，降低电力消耗，同时对散热也大有裨益。

DDR4内存电压降低了，功耗也低了

DDR那一代的工作电压高达2.5V，随后DDR2降低到了1.8V，DDR3又降低到了1.5V，DDR3L低电压版则是1.35V，而DDR4的工作电压只要1.2V，低电压版尚未完全确定，不过可以低至1.0-1.05V，相比DDR3L进一步降低功耗。

k4b4g16多大内存

因为昨天chh看到一个人还在用土办法去判断美光颗粒版本加上前面B站也有人问我怎么去判断内存颗粒版本使用今天就抽空写一下。

1.三星

三星官方命名文件如下：

实例：

第一行：“SEC843”重要信息为843代表内存颗粒生产日期

第二行：“K4A4G08”重要信息为4G08代表内存颗粒容量和位宽(AG代表容量为16Gb)

第三行：“5WTBCTD”重要信息为T、TD，T代表颗粒版本我这个就是T-DIE。TD代表内存频率和时序，TD为2666C19、RC为2400C17、PB为2133C15.

第四行：角标目前不知道有何定义，到时有时间去研究下

三星颗粒编号对应频率时序表：

三星目前个人已知的颗粒（有些颗粒我都没有见到实物）：A-DIE（16Gb、32Gb）、B-DIE（8Gb、16Gb）、C-DIE（8Gb）、D-DIE（4Gb、8Gb）、E-DIE（4Gb）、F-DIE（4Gb）、M-DIE(16GB)、S-DIE（4Gb、8Gb）、T-DIE（4Gb）

目前未在正规内存厂发现三星的ett颗粒（可认为是白片）

2.美光

美光颗粒打标官方定义文件

实例：

第一行：“7UE75”，7U代表颗粒生产事件7代表17年U代表42周（实际是U在26个英文字母是21位21*2=42），E代表颗粒版本即为E-DIE，75分别代表颗粒生产地和封装地，7为台湾5为中国大陆。

第二行：“D9VPP”美光的FBGA码里面含有更多的颗粒信息需通过美光查询系统来解码，网址：https://www.micron.com/support/tools-and-utilities/fbga

美光颗粒命名规则

实例：MT40A1G8SA-075:EFBGA码：D9VPP

重要信息：40代表为DDR4，A为电压，1G8代表颗粒容量和位宽1G8是8Gb8bit、512M16是8Gb16bit，075代表频率和时序075为2666C19、083为2400C17、093E为2133C15，E颗粒版本E-DIE

美光编号和频率时序对应表：

实际上用查FBGA码来判断美光颗粒版本是比较土的~

美光目前个人已知颗粒（有些颗粒我都没有见到实物）：A-DIE（4Gb、8Gb、16Gb）、B-DIE（4Gb、8Gb、16Gb、32Gb）、D-DIE（8Gb、16Gb）、E-DIE（4Gb8Gb、16Gb、32Gb）、F-DIE（4Gb）、G-DIE（4Gb）罕见、H-DIE（8Gb）、J-DIE（8Gb）

美光的白片——spectek判断方法

一般的spectek（大S）颗粒上面也有些编码，

实例：

编号：PS029-093TP

PS029这个编码和美光FBGA码类似也可以在官网查询得知信息

网址：https://www.spectek.com/menus/mark_code.aspx

Spectek颗粒命名规则

例子：SUU512M16Z11BD8LY

重要信息：512M16和美光一样代表颗粒容量和位宽，Z11B核心代号（美光的）可通过核心代号来确认颗粒版本

美光核心代号与颗粒版本对应关系

所以我这个颗粒是E-DIE

093代表2133c16

Spectek编号与频率时序表

TP代表颗粒质量等级

3.海力士

海力士官方命名文件：

实例：

第二行编号：“H5AN8G8NCJR”重要信息8G8代表颗粒容量8Gb和位宽8bit，C代表颗粒版本C-DIE

第三行编号：”VKC829A”重要信息VK代表频率和时序。829代表生产日期。

海力士编号和频率时序对应表

第四行：角标可能有某些关系

实际上我们常说的AFR、CJR、MFR不严谨实际上只有第一位代表颗粒版本，第二位代表的是封装类型，第三位也没啥有意义的东西。

海力士目前个人已知的颗粒（个人已经见过大部分）：A-DIE（4Gb、8Gb、16Gb）常见的是AFR，B-DIE（4Gb）我见过BJR比较少见，C-DIE（8Gb、16Gb）常见与大名鼎鼎的CJR，M-DIE（4Gb、8Gb、16Gb）常见的是MFR,

海力士白片判断方法——角标判断法

很多的海力士白片颗粒的内存都打上内存品牌的logo无法看出是什么颗粒，只能依靠台风软件识别，不过很可惜台风软件识别是有问题的。在研究海力士颗粒的角标时我发现海力士颗粒角标可能有部分代表了颗粒版本。研究了几百颗海力士颗粒后我总结出了一些规律，不过还是强调下这只是个人总结官方并没有说明有这个方法！

海力士角标在颗粒最下面一行：

角标：DTBMJTS0W93

研究发现海力士角标前四位极有可能代表颗粒版本：

不过这不是官方的所以仅供参考！

如果有错误欢迎各位大佬指出。

内存vtt电压多少合适

一般是0.9V正常,这里VTTDDR就是内存基准参考电压。

扩展资料

一般是VDD经一个三极管转换的，或者通过双MOS管转换！电压是VDD的一半！

DDR184pin的电压不是DDR内存的工作电压!

这里正确的名称应该是VDDSPD，也就是内存SPD芯片的工作电压!

DDR内存真正的工作电压VDD应该是7,38,46.....180一系列~他们是连在一起的可以直接测量7pin或180pin就可以了~

1pin是内存参考电压,91,92是系统管理总线！

尽管DDR存储器在无需加倍时钟频率的情况下使数据传输率加倍，避免了PC板设计和布局的复杂性，但它要求有更严格的DC稳压、更高的电流和对端电源电压(VTT)和存储总线电压(VDD)紧密的跟踪。新型串联端接逻辑(SSTL)拓朴的引入是用于提高抗噪性、增加电源抑制并使用更低的电源电压以降低功耗。

DDR存储器具有推挽式的输出缓冲，而输入接收器是一个差分级，要求一个参考偏压中点，VREF。因此，它需要一个能够提供电流和吸收电流的输入电压端。

在驱动芯片集的任何输出缓冲器和存储器模块上相应的输入接收器之间，我们必须端接一个布线跟踪或带有电阻器的插头。

VTT电源的电流流向随着总线状态的变化而变化。因此，VTT电源需要提供电流和吸收电流(source&sink)。

由于VTT电源必须在1/2VDDQ提供和吸收电流，因此如果没有通过分流来允许电源吸收电流，那么就不能使用一个标准的开关电源。而且，由于连接到VTT的每条数据线都有较低的阻抗，因而电源就必须非常稳定。在这个电源中的任何噪声都会直接进入数据线。

VTT被用来从DDR控制器IC中获取电压，给数据总线和地址总线提供电源,VTT不直接应用在DDR器件上，而是在系统电源上（VTT和终端电阻都被集成到DDRCONTROLLER上），因此不需要在电路图中额外标出。它的值通常设定大致等于VREF的值（在VREF上下0.04V浮动），并且随着VREF的变化而变化。